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LK-AMPD-S Fotodetector de InGaAs de micro-ondas amplificado de alta velocidade
- Alta velocidade, ampla largura de banda
- Viés-T incorporado
- O/E Híbrido Integrado
- Alto ganho, baixo ruído, banda larga
- Conector SMA hermeticamente selado
- Baixa corrente escura, alta relação sinal-ruído.
- Fator de forma pequeno.
Descrição do Produto
LK-AMPD-S é um híbrido de um fotodiodo InGaAs e um amplificador de baixo ruído, projetado para uma ampla resposta óptica de 1000 a 1650 nm e oferecendo um ganho de RF de 15 dB. Ele oferece desempenho de alta velocidade com larguras de banda de 12 GHz e 18 GHz, e é alimentado por uma fonte de +5 V.
Este módulo é compatível com fibra monomodo padrão 9/125 μm e possui um conector SMA com impedância de 50 ohms.
O LK-AMPD-S é hermeticamente selado para proteção ambiental e tem um design leve, com uma massa de menos de 23 gramas. Ele está em conformidade com a Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2.0, garantindo sustentabilidade ambiental e adesão a padrões de segurança rigorosos.
Especificações técnicas
| Classificação máxima típica e absoluta | ||||
|---|---|---|---|---|
| Parâmetro | Sim. | tipo | NOTA | Unidade |
| Amplitude Térmica de armazenamento | TSTG | -45 ~ +85 | -55 ~ +100 | ℃ |
| Faixa de temperatura da caixa operacional | TC | 25 | -40 ~ +85 | ℃ |
| Tensão de polarização | VR | +5 | +5 ～ +9 | V |
| Potência de entrada óptica | pino | 0 | +10 | dBm |
| Potência óptica queimada | PB | - | +13 | dBm |
| Temperatura de soldagem de chumbo | Tp | 280 (10s) | 330 (10s) | ℃ |
| Características elétricas/ópticas ( TC = 22 ± 3 ℃ ) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Parâmetro | Sym | Condição de teste | Valores de Parâmetro | Unidade | ||
| Faixa de comprimento de onda | λ | - | 1000 ～ 1650 | nm | ||
| Alcance de frequência | - | - | X - Banda | Ku - Banda | - | |
| Largura de banda de sinal pequeno | f-3dB | TC = 22 ± 3℃ | 0 ～ 3 | 0 ～ 8 | GHz | |
| Responsividade | Re | VR =+5V, Pin =10mW | λ = 1310 nm | ≥ 0.8 | ≥ 0.85 | A / W |
| λ = 1550 nm | ≥ 0.85 | ≥ 0.8 | ||||
| Planicidade de amplitude | A | TC =-45～+85 ℃ | ≤ ± 2 | dB | ||
| Potência óptica de saturação | Ps | VR =+ 5 V, λ = 1550 nm CA modulada |
10 | dBm | ||
| Ganho de sinal RF (típico) | G | - | 15 ± 1 | dB | ||
| Potência de saída de RF de saturação | PFora | - | +3 | dBm | ||
| Saída VSWR | VSWR | - | ≤ 2 | - | ||
| impedância de saída | RL | - | 50 | Ω | ||
● Curvas de Resposta Típicas
（Fig. 1 Resposta de frequência do fotodetector de banda X）
（Fig. 2 Resposta de frequência do fotodetector de banda Ku）
●Dimensão e pinos (unidade: mm [polegada])
Conector RF: SMA
●Informações sobre pedidos
Folha 1：
| Code | Ganho de sinal RF | Observação |
| S | 15 dB | Frequência típica e central |
Folha 2：
| Code | Largura de banda analógica |
| X | 0 ～ 3 GHz |
| Ku | 0 ～ 8 GHz |
Folha 3：
| Code | Tipo de conector | Observação |
| N | Sem conector | Pigtail de fibra monomodo 9/125 μm |
| A | FC/APC | |
| P | FC/PC |
● Precauções
O raio de curvatura da fibra não é menor que 20 mm para evitar danos à fibra.
Certifique-se de que a face de acoplamento da fibra esteja limpa antes de conectá-la ao circuito óptico.
A proteção ESD adequada é necessária no armazenamento, transporte e uso.
Todos os nossos fotodetectores padrão podem ser personalizados em módulos！
Aplicações
Processamento de informações de radar
Guerra Eletrônica
Medição de Antena
Comunicações de Fibra Óptica
Segurança e Vigilância
